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供应第四代半导体工艺设备 氧化镓退火炉

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    新型的宽禁带半导体材料,氧化镓(Ga2O3)由于自身的优异性能,凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN更宽的禁带,在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。氧化镓是一种宽禁带半导体,禁带宽度Eg=4.9eV,其导电性能和发光特性良好,因此,其在光电子器件方面有广阔的应用前景,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。



青岛晨立生产的氧化镓退火炉主要适用于科研单位、高等院校、研究机构及企业。主要用于2-6英寸氧化镓的退火等工艺使用。

 
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