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氮化镓 （GAN）氧化炉 青岛晨立电子有限公司

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详细说明

    该设备用于氮化镓（GAN）芯片生产工艺过程中的真空退火、合金、氧化、扩散等工艺。该系统具有精确温度控制系统和真空压力控制系统。



主要参数：



工作温度范围： 600-1280 度。



使用温度：1200 度。



每炉可处理 25 片。标准晶圆舟 25 片。



炉管有效口径：满足 6 寸片，可向下兼容 4、2 寸。



升温功率：18KVA/每管 。



电源：三相五线制： 380V 三相五线。



具有断偶、超温报警以及二次保护功能。

 
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